В установке Applied Reflexion® LK Prime ™ CMP улучшена технология планиризации предыдущего поколения для достижения нанометровой точности для применения в изготовлении плавниковых транзисторов (FinFET) и 3D элементов И-НЕ (NAND). Такая степень точности жизненно важна, так как минимальное изменение толщины слоя снижает точность и эффективность работы устройств.

Благодаря наличию шести полировальных и восьми интегрированных узлов очистки с усовершенствованным контролем процессов, система производит сверхточную обработку с высокой однородностью и производительностью, требуемую для 3D применения. Увеличенное количество узлов полировки и очистки (14 против 7 на платформе предыдущего поколения) и улучшенная обработка пластин позволили вдвое увеличить производительность установки на 100%.

Гибкость применения узлов полировки и очистки независимо друг от друга обеспечивает широкие возможности для выполнения последовательных, параллельных или пакетных процессов, как и наличие большего числа вариантов настройки каждого инструмента в отдельности. Например, для более толстых слоев пленки и широкой топографии 3D элементов И-НЕ необходима долгая равномерная полировка. Выполнение её в виде серии более коротких действий на нескольких инструментах обеспечит стабильный, предсказуемый результат. Это, в свою очередь, поможет оптимизировать производительность и уменьшить количество дефектов. Специализированные шлифовальные головки и расширенные средства управления в реальном времени и контроль критических точек позволяет точно управлять процессом для точного соответствия требованиям и характеристикам будущих узлов устройства.